Descripción
Transistor PNP de propósito general, encapsulado en TO-92-3, ideal para aplicaciones electrónicas donde se requiere un control preciso en circuitos de baja potencia. Este componente ofrece características de alta ganancia y bajo voltaje de saturación, con un amplio rango de temperaturas de operación, lo que lo hace confiable para diversas aplicaciones en electrónica analógica y digital.
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS | • Estilo de montaje: Through Hole • Encapsulado: TO-92-3 • Polaridad: PNP • Corriente máxima de colector (IC): -100 mA • Voltaje colector-emisor (VCEO): 65 V • Voltaje colector-base (VCBO): 80 V • Voltaje emisor-base (VEBO): 5 V • Voltaje de saturación colector-emisor: 300 mV • Disipación de potencia máxima: 625 mW • Ganancia de corriente (hFE): 180-460 • Ancho de banda fT: 280 MHz |
CARACTERÍSTICAS | • Temperatura de trabajo: -55 °C a +150 °C • Dimensiones: 5.33 mm (altura) x 5.2 mm (longitud) x 4.19 mm (ancho) • Peso: 200 mg • Tipo de producto: Transistores bipolares (BJT) • Empaque: A granel (Bulk) |

BC556B Transistor BJT PNP 65V TO-92
$ 2.00