IRF510N Transistor MOSFET Canal N 100V 5.6A TO-220-3
El transistor MOSFET IRF510N es un componente electrónico de potencia ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación. Es ampliamente utilizado en circuitos electrónicos por su capacidad para manejar altas corrientes y...
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IRF510N Transistor MOSFET Canal N 100V 5.6A TO-220-3
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El transistor MOSFET IRF510N es un componente electrónico de potencia ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación. Es ampliamente utilizado en circuitos electrónicos por su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes, con una resistencia de encendido baja y alta eficiencia.
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS |
• Tipo: N-Channel MOSFET • Tensión Máxima de Drenaje-Fuente (VDS): 100 V • Corriente Máxima de Drenaje (ID): 33 A • Potencia Máxima Disipada: 43 W • RDS(on): 0.077 ohmios (máx.) • Voltaje de Encendido (VGS): 2-4 V |
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CARACTERÍSTICAS |
• Encapsulado: TO-220 • Alta eficiencia en aplicaciones de conmutación • Ideal para aplicaciones de control de motor y fuentes de alimentación • Dimensiones: 10 x 15 x 4.5 mm • Peso: 2 g |
