Descripción
El IRF520 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y control de alta eficiencia. Este componente es ideal para circuitos de potencia, gracias a su alta capacidad de manejo de corriente y voltaje, con un diseño compacto y confiable que facilita su integración en diversos proyectos electrónicos.
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS |
• Tecnología: Silicio (Si) • Estilo de montaje: Through Hole (orificio pasante) • Encapsulado: TO-220-3 • Polaridad del transistor: N-Channel • Número de canales: 1 Canal • Voltaje disruptivo (VDS): 100 V • Corriente de drenaje continua (ID): 10 A • Resistencia entre drenaje y fuente (RDS(on)): 270 mΩ • Tensión entre puerta y fuente (VGS): -20 V a +20 V • Disipación de potencia máxima (PD): 60 W • Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C • Tiempo de subida: 25 ns • Tiempo de caída: 8 ns • Tiempo de retardo de encendido: 16 ns • Tiempo de retardo de apagado: 32 ns • Dimensiones: Altura 9.15 mm, Longitud 10.4 mm, Ancho 4.6 mm • Peso: 2 g |
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CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES |
• Diseño robusto y de alta fiabilidad • Baja resistencia RDS(on), ideal para aplicaciones de baja pérdida de energía • Alta capacidad de conmutación con tiempos de respuesta rápidos • Soporte para voltajes de puerta tanto positivos como negativos • Excelente manejo térmico con encapsulado TO-220 • Compatible con aplicaciones de alta potencia y frecuencias moderadas |
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APLICACIONES |
• Controladores de motor y actuadores • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) • Convertidores de energía y controladores de carga • Sistemas de automatización industrial • Circuitos de conmutación de alta eficiencia • Electrónica de consumo y proyectos de bricolaje |
IRF520 Transistor MOSFET Canal N 100V 9.2A TO-220-3
$ 11.00
