Descripción
El IRF530 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones que requieren alta eficiencia en la conmutación y control de potencia. Este componente es ideal para diversas aplicaciones electrónicas gracias a su alta capacidad de manejo de corriente y voltaje, con una excelente respuesta en frecuencia y bajo RDS(on).
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS |
• Tecnología: Silicio (Si) • Polaridad del transistor: Canal N • Número de canales: 1 • Voltaje disruptivo entre drenaje y fuente (VDS): 100 V • Corriente de drenaje continua (ID): 14 A • Resistencia entre drenaje y fuente (RDS(on)): 160 mΩ • Voltaje entre puerta y fuente (VGS): -20 V a +20 V • Tensión umbral entre puerta y fuente (VGS(th)): 2 V • Carga de puerta (Qg): 26 nC • Disipación de potencia (PD): 60 W • Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C • Tiempo de subida: 34 ns • Tiempo de caída: 24 ns • Tiempo típico de encendido: 10 ns • Tiempo típico de apagado: 23 ns • Transconductancia mínima (gfs): 5.1 S • Encapsulado: TO-220-3 (Through Hole) • Peso: 2 g |
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CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES |
• Diseño de canal N con alta eficiencia en conmutación • Baja resistencia RDS(on) para menor disipación de energía • Amplio rango de temperatura de operación • Alta capacidad de manejo de corriente • Respuesta rápida en tiempos de subida y caída • Compatible con montaje a través de agujero (Through Hole) • Ideal para aplicaciones de conmutación de potencia y control |
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APLICACIONES |
• Control de motores y sistemas de automatización • Fuentes de alimentación conmutadas • Reguladores de voltaje • Equipos de conversión de energía • Circuitos de protección y gestión de carga • Aplicaciones de potencia en general |
IRF530N Transistor MOSFET Canal N 100V 14A TO-220-3
$ 11.00
