Descripción
El IRF540 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de potencia en circuitos electrónicos. Este dispositivo, fabricado con tecnología TrenchMOS, ofrece alta eficiencia y fiabilidad en operaciones de conmutación y amplificación. Gracias a su bajo Rds(on) y alta capacidad de manejo de corriente, es ideal para fuentes de alimentación, inversores, y controladores de motores.
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS |
• Encapsulado: TO-220-3 (orificio pasante) • Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V • Id - Corriente de drenaje continua: 30 A • Rds(on) - Resistencia entre drenaje y fuente: 77 mΩ • Vgs - Tensión entre puerta y fuente: -20 V a +20 V • Potencia de disipación máxima: 85 W • Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C • Tiempo de subida: 45 ns • Tiempo de caída: 20 ns • Tiempo típico de retardo de encendido: 60 ns • Tiempo típico de retardo de apagado: 50 ns • Peso: 2 g |
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CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES |
• Diseño compacto y alta densidad de potencia • Baja resistencia en conducción para mayor eficiencia • Amplio rango de operación térmica • Fácil integración en diseños con montaje en orificio pasante • Alta velocidad de conmutación • Fabricado con tecnología TrenchMOS para mayor confiabilidad |
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APLICACIONES |
• Fuentes de alimentación conmutadas • Inversores y sistemas de energía renovable • Controladores de motores DC y AC • Equipos de audio y amplificación • Sistemas de automatización y control industrial • Conversión y manejo de potencia en circuitos electrónicos |
IRF540 Transistor MOSFET de Potencia Canal N TO-220
$ 11.00
