Descripción
El IRF640 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de alta eficiencia. Este componente cuenta con una elevada capacidad de manejo de corriente y es ideal para fuentes de alimentación, control de motores y circuitos de alta potencia.
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS |
• Categoría: Transistor MOSFET de efecto de campo • Tecnología: Silicio (Si) • Polaridad: Canal N • Número de canales: 1 • Voltaje disruptivo drenaje-fuente (Vds): 200 V • Corriente de drenaje continua (Id): 18 A • Resistencia entre drenaje y fuente (Rds On): 180 mOhms • Voltaje entre puerta y fuente (Vgs): -20 V a +20 V • Disipación de potencia máxima (Pd): 125 W • Temperatura de operación: -65 °C a +150 °C • Tiempo de subida: 27 ns • Tiempo de caída: 25 ns • Tiempo típico de demora de encendido: 13 ns • Transconductancia mínima: 11 S • Encapsulado: TO-220-3 • Dimensiones: Altura: 9.15 mm, Longitud: 10.4 mm, Ancho: 4.6 mm • Peso: 2 g |
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CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES |
• Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad • Baja resistencia Rds On para minimizar pérdidas de potencia • Capacidad de manejar altas corrientes y voltajes • Encapsulado TO-220 que facilita la disipación térmica • Ideal para circuitos de control de motores y fuentes de alimentación • Amplia gama de temperaturas de operación • Configuración de canal único para simplicidad de diseño |
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APLICACIONES |
• Fuentes de alimentación conmutadas • Controladores de motores y actuadores • Convertidores de potencia DC-DC • Circuitos de conmutación de alta velocidad • Sistemas de automatización industrial • Electrónica de consumo y dispositivos de potencia |
IRF640 Transistor MOSFET Canal N 200V 18A TO-220-3
$ 9.00
