Descripción
El IRF840 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de alta tensión y conmutación eficiente. Con una capacidad de manejo de hasta 500 V y 8 A, es ideal para fuentes de alimentación conmutadas, controladores de motor y otras aplicaciones electrónicas de potencia. Este dispositivo está encapsulado en formato TO-220-3 y es adecuado para montaje a través de orificio.
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ESPECIFICACIONES TÉCNICAS |
• Categoría: Transistor MOSFET (N-Channel) • Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 500 V • Id - Corriente de drenaje continua: 8 A • Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 850 mOhms • Vgs - Tensión entre puerta y fuente: -20 V a +20 V • Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V • Qg - Carga de puerta: 63 nC • Temperatura de operación: -55 °C a +150 °C • Dp - Disipación de potencia: 125 W • Tiempo de subida: 23 ns • Tiempo de caída: 20 ns • Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns • Tiempo de retardo de apagado típico: 49 ns • Transconductancia hacia adelante mínima: 4.9 S • Encapsulado: TO-220-3 |
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CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES |
• Alta capacidad de manejo de tensión y corriente • Baja resistencia Rds On para eficiencia mejorada • Diseño optimizado para conmutación rápida • Configuración de un solo canal • Compatible con circuitos de alta frecuencia y potencia • Empaquetado resistente y compacto |
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APLICACIONES |
• Fuentes de alimentación conmutadas • Convertidores de potencia • Sistemas de control de motores • Circuitos de iluminación de alta tensión • Aplicaciones de energía renovable • Equipos industriales y electrónicos de potencia |
IRF840 Transistor MOSFET Canal N 500V 8A TO-220-3
$ 11.00
